Przenośny detektor promieniowania: 10 kroków (ze zdjęciami)

2024 Autor: John Day | [email protected]. Ostatnio zmodyfikowany: 2024-01-30 11:32

Jest to samouczek dotyczący projektowania, budowy i testowania własnego przenośnego krzemowego fotodiodowego detektora promieniowania odpowiedniego dla zakresu detekcji 5keV-10MeV, aby dokładnie określić ilościowo niskoenergetyczne promienie gamma pochodzące ze źródeł radioaktywnych! Zwróć uwagę, jeśli nie chcesz zostać radioaktywnym zombie: przebywanie w pobliżu źródeł wysokiego promieniowania nie jest bezpieczne, a to urządzenie NIE powinno być używane jako niezawodny sposób wykrywania potencjalnie szkodliwego promieniowania.

Zacznijmy od małej wiedzy na temat detektora, zanim przejdziemy do jego budowy. Powyżej znajduje się wspaniały film z Veritasium wyjaśniający, czym jest promieniowanie i skąd pochodzi.

Krok 1: Po pierwsze, dużo fizyki

(Legenda do rysunku: Promieniowanie jonizujące tworzy pary elektron-dziura w obszarze wewnętrznym, powodując impuls ładunku).

Komory iskrowe, detektory Geigera i fotopowielacze… wszystkie te typy detektorów są albo kłopotliwe, drogie, albo wykorzystują do działania wysokie napięcia. Istnieje kilka typów rurek Geigera przyjaznych dla producenta, takich jak https://www.sparkfun.com/products/retired/11345 i https://www.adafruit.com/product /483. Innymi metodami wykrywania promieniowania są detektory półprzewodnikowe (np. detektory germanowe). Są one jednak drogie w produkcji i wymagają specjalistycznego sprzętu (pomyśl o chłodzeniu ciekłym azotem!). Wręcz przeciwnie, detektory półprzewodnikowe są bardzo opłacalne. Są szeroko stosowane i odgrywają zasadniczą rolę w fizyce cząstek wysokich energii, fizyce medycznej i astrofizyce.

Tutaj budujemy przenośny detektor promieniowania w stanie stałym, zdolny do dokładnego określania ilościowego i wykrywania niskoenergetycznych promieni gamma pochodzących ze źródeł radioaktywnych. Urządzenie składa się z szeregu spolaryzowanych zaporowo diod krzemowych PiN o dużej powierzchni, które są wysyłane do przedwzmacniacza ładowania, wzmacniacza różniczkowego, dyskryminatora i komparatora. Wyjście wszystkich kolejnych stopni jest konwertowane na sygnały cyfrowe do analizy. Zaczniemy od opisania zasad działania detektorów cząstek krzemu, diod PiN, polaryzacji zwrotnej i innych powiązanych parametrów. Następnie wyjaśnimy różne przeprowadzone dochodzenia i dokonane wybory. Na koniec przedstawimy ostateczny prototyp i testy.

Detektory półprzewodnikowe

W wielu zastosowaniach do wykrywania promieniowania istotną zaletą jest użycie stałego nośnika detekcji (alternatywnie nazywanego detektorem półprzewodnikowym lub detektorem półprzewodnikowym). Diody krzemowe to detektory z wyboru w wielu zastosowaniach, zwłaszcza w przypadku ciężkich naładowanych cząstek. Jeśli pomiar energii nie jest wymagany, doskonałe charakterystyki czasowe detektorów z diodami krzemowymi pozwalają na dokładne zliczanie i śledzenie naładowanych cząstek.

W przypadku pomiaru elektronów o wysokiej energii lub promieni gamma wymiary detektora mogą być znacznie mniejsze niż w przypadku alternatyw. Zastosowanie materiałów półprzewodnikowych jako detektorów promieniowania skutkuje również większą liczbą nośników dla danego zdarzenia promieniowania padającego, a zatem niższym limitem statystycznym rozdzielczości energetycznej niż jest to możliwe w przypadku innych typów detektorów. W związku z tym, dzięki zastosowaniu takich detektorów uzyskuje się najlepszą osiągalną dzisiaj rozdzielczość energii.

Podstawowymi nośnikami informacji są pary elektron-dziura utworzone wzdłuż ścieżki, jaką naładowana cząstka obiera przez detektor (patrz rysunek powyżej). Poprzez zbieranie tych par elektron-dziura, mierzonych jako ładunki na elektrodach czujnika, powstaje sygnał detekcji, który przechodzi do etapów wzmocnienia i dyskryminacji. Dodatkowymi pożądanymi cechami detektorów półprzewodnikowych są niewielkie rozmiary, stosunkowo szybka charakterystyka czasowa i efektywna grubość (*). Podobnie jak w przypadku każdego detektora, istnieją wady, w tym ograniczenie do małych rozmiarów i stosunkowo możliwość pogorszenia wydajności tych urządzeń w wyniku uszkodzenia wywołanego promieniowaniem.

(*: Cienkie czujniki minimalizują wielokrotne rozpraszanie, podczas gdy grubsze czujniki generują więcej ładunków, gdy cząstka przechodzi przez podłoże.)

Diody P−i−N:

Każdy typ detektora promieniowania wytwarza charakterystyczny sygnał wyjściowy po interakcji z promieniowaniem. Oddziaływania cząstek z materią wyróżniają się trzema efektami:

1. efekt fotoelektryczny
2. Rozpraszanie Comptona
3. Produkcja par.

Podstawową zasadą płaskiego detektora krzemowego jest wykorzystanie złącza PN, w którym cząstki oddziałują poprzez te trzy zjawiska. Najprostszy płaski czujnik krzemowy składa się z podłoża domieszkowanego P i implantu N po jednej stronie. Pary elektron-dziura są tworzone wzdłuż trajektorii cząstki. W rejonie węzła PN znajduje się obszar bezpłatnych nośników, zwany strefą zubożenia. Powstające w tym regionie pary elektron-dziura są oddzielone otaczającym polem elektrycznym. Dlatego nośniki ładunku można mierzyć po stronie N lub P materiału krzemowego. Poprzez przyłożenie napięcia polaryzacji wstecznej do diody złącza PN, strefa zubożona powiększa się i może pokryć całe podłoże czujnika. Możesz przeczytać więcej na ten temat tutaj: Pin Junction Wikipedia Article.

Dioda PiN ma obszar wewnętrzny i, pomiędzy złączami P i N, zalany nośnikami ładunku z obszarów P i N. Ten szeroki obszar wewnętrzny oznacza również, że dioda ma niską pojemność, gdy jest spolaryzowana zaporowo. W diodzie PiN obszar zubożenia znajduje się prawie całkowicie w obszarze wewnętrznym. Ten obszar zubożenia jest znacznie większy niż w przypadku zwykłej diody PN. Zwiększa to objętość, w której pary elektron-dziura mogą być generowane przez padający foton. Jeśli do materiału półprzewodnikowego zostanie przyłożone pole elektryczne, zarówno elektrony, jak i dziury przechodzą migrację. Dioda PiN jest spolaryzowana zaporowo, dzięki czemu cała i-warstwa jest pozbawiona wolnych nośników. Ta odwrotna polaryzacja tworzy pole elektryczne w poprzek warstwy i, tak że elektrony są przesuwane do warstwy P, a dziury do warstwy N (*4).

Przepływ nośników w odpowiedzi na impuls promieniowania stanowi mierzony impuls prądu. Aby zmaksymalizować ten prąd, i-region musi być jak największy. Właściwości złącza są takie, że przewodzi ono bardzo mało prądu, gdy jest przesunięte w odwrotnym kierunku. Strona P złącza staje się ujemna w stosunku do strony N, a naturalna różnica potencjałów z jednej strony złącza do drugiej jest zwiększona. W tych warunkach to nośniki mniejszościowe są przyciągane przez złącze, a ponieważ ich koncentracja jest stosunkowo niska, prąd wsteczny na diodzie jest dość mały. Kiedy do złącza zostanie przyłożone odwrotne obciążenie, praktycznie całe przyłożone napięcie pojawia się w obszarze zubożenia, ponieważ jego rezystywność jest znacznie wyższa niż w przypadku normalnego materiału typu N lub P. Rzeczywiście, odwrotne odchylenie uwydatnia różnicę potencjałów na skrzyżowaniu. Zwiększa się również grubość obszaru zubożenia, zwiększając objętość, w której gromadzone są nośniki ładunku wytworzone przez promieniowanie. Gdy pole elektryczne jest wystarczająco wysokie, gromadzenie ładunku zostaje zakończone, a wysokość impulsu nie zmienia się już wraz z dalszym wzrostem napięcia polaryzacji detektora.

(*1: Elektrony w stanie związanym atomu są wybijane przez fotony, gdy energia padających cząstek jest wyższa niż energia wiązania. *2: Oddziaływanie polegające na rozproszeniu cząstki od swobodnego lub luźno związanego elektronu, oraz przeniesienie części energii na elektron. *3: Produkcja cząstki elementarnej i jej antycząstki; *4: Elektrony są przyciągane w kierunku przeciwnym do wektora pola elektrycznego, podczas gdy dziury poruszają się w tym samym kierunku. kierunek jako pole elektryczne.)

Krok 2: Eksploracja

Jest to prototypowa wersja „detektora”, który zbudowaliśmy, debugowaliśmy i testowaliśmy. Jest to macierz składająca się z wielu czujników, która ma czujnik promieniowania w stylu „CCD”. Jak wspomniano wcześniej, wszystkie półprzewodniki krzemowe są wrażliwe na promieniowanie. W zależności od dokładności i zastosowanych czujników można również z grubsza zorientować się w poziomie energii cząstki, która spowodowała uderzenie.

Użyliśmy nieekranowanych diod już przeznaczonych do wykrywania, które po spolaryzowaniu wstecznym (i osłonięciu przed światłem widzialnym) mogą rejestrować trafienia z promieniowania Beta i Gamma poprzez wzmacnianie drobnych sygnałów i odczytywanie danych wyjściowych za pomocą mikrokontrolera. Promieniowanie alfa jest jednak rzadko wykrywane, ponieważ nie może przeniknąć nawet cienkiej tkaniny lub osłony polimerowej. W załączniku znajduje się wspaniały film z Veritasium, który wyjaśnia różne rodzaje promieniowania (alfa, beta i gamma).

Początkowe iteracje projektowe wykorzystywały inny czujnik (fotodiodę BPW-34; słynny czujnik, jeśli się googlujesz). Istnieje nawet kilka powiązanych instrukcji, które używają go do wykrywania promieniowania, takiego jak ten doskonały: https://www.instructables.com/id/Pocket-Photodiode-Geiger-Counter/. Ponieważ jednak zawierał pewne błędy i nie działał optymalnie, postanowiliśmy pominąć szczegóły tego prototypu w Instruktażach, aby uniknąć zbudowania przez Twórców detektora pełnego wad. Dołączyliśmy jednak pliki projektowe i schemat na wypadek zainteresowania.

Krok 3: Projekt

(Legendy obrazów: (1) Schemat blokowy detektora: od tworzenia sygnału do akwizycji danych., (2) Specyfikacje fotodiody X100-7: obszar aktywny 100 mm^2, strefa zubożona o 0,9 mm, powłoka blokująca światło, niski prąd ciemny… Jak pokazano na wykresie prawdopodobieństwa absorpcji, diody PiN z łatwością pochłaniają energię promieniowania gamma, (3) Nota aplikacyjna producenta, która potwierdziła koncepcję projektu i pomogła w doborze początkowych wartości komponentów.

Zdecydowaliśmy się na większy czujnik obszaru, a mianowicie X100-7 firmy First Sensor. Do celów testowych i modułowości zaprojektowaliśmy trzy różne części, ułożone jedna na drugiej: czujniki i wzmocnienie (wzmacniacz ładunku o niskim poziomie szumów + wzmacniacz kształtujący impulsy), dyskryminatory i komparator, regulacja DC/DC oraz DAQ (Arduino do akwizycji danych). Każdy etap został zmontowany, zweryfikowany i przetestowany osobno, jak zobaczysz w następnym kroku.

Główną zaletą detektorów półprzewodnikowych jest mała energia jonizacji (E), niezależna zarówno od energii, jak i rodzaju padającego promieniowania. To uproszczenie pozwala uwzględnić liczbę par elektron-dziura pod względem energii promieniowania padającego, pod warunkiem, że cząstka jest całkowicie zatrzymana w aktywnej objętości detektora. Dla krzemu w 23C (*) mamy E~3,6eV. Zakładając, że cała energia jest zdeponowana i wykorzystując energię jonizacji możemy obliczyć liczbę elektronów wytwarzanych przez dane źródło. Na przykład promieniowanie gamma o mocy 60 keV ze źródła Americium-241 dałoby zdeponowany ładunek o wartości 0,045 fC/keV. Jak pokazano w specyfikacji specyfikacji diody, powyżej napięcia polaryzacji około ~15 V obszar zubożenia można w przybliżeniu określić jako stały. Ustawia to docelowy zakres dla naszego napięcia polaryzacji na 12-15V. (*: E wzrasta wraz ze spadkiem temperatury.)

Funkcjonalność różnych modułów detektora, ich elementy składowe i powiązane obliczenia. Przy ocenie detektora kluczowa była czułość (*1). Niezwykle czuły przedwzmacniacz ładunku jest wymagany, ponieważ padające promieniowanie gamma może wygenerować tylko kilka tysięcy elektronów w obszarze zubożenia półprzewodników. Ponieważ wzmacniamy niewielki impuls prądowy, szczególną uwagę należy zwrócić na dobór komponentów, staranne ekranowanie i układ płytek drukowanych.

(*1: Minimalna energia deponowana w detektorze w celu wytworzenia wyraźnego sygnału oraz stosunek sygnału do szumu.)

Aby właściwie dobrać wartości komponentów, najpierw podsumowuję wymagania, pożądane specyfikacje i ograniczenia:

Czujniki:

• Duży możliwy zasięg wykrywania, 1keV-1MeV
• Niska pojemność minimalizująca hałas, 20pF-50pF
• Znikomy prąd upływu przy odwrotnej polaryzacji.

Wzmocnienie i dyskryminacja:

• Przedwzmacniacze wrażliwe na ładowanie
• Wyróżnik do kształtowania impulsów
• Komparator dla impulsu sygnału powyżej ustawionego progu
• Komparator dla wyjścia hałasu, gdy mieści się w przedziale progowym
• Komparator dla koincydencji kanałów
• Ogólny próg filtrowania zdarzeń.

Cyfrowy i mikrokontroler:

• Szybkie konwertery analogowo-cyfrowe
• Dane wyjściowe do przetwarzania i interfejsu użytkownika.

Zasilanie i filtrowanie:

• Regulatory napięcia dla wszystkich etapów
• Zasilanie wysokonapięciowe do generowania mocy polaryzacji
• Właściwe filtrowanie całej dystrybucji mocy.

Wybrałem następujące komponenty:

• Konwerter doładowania DC: LM 2733
• Wzmacniacze ładowania: AD743
• Inne wzmacniacze operacyjne: LM393 i LM741
• DAQ/odczyt: Arduino Nano.

Dodatkowe narzucone specyfikacje obejmują:

• Szybkość pracy: > 250 kHz (84 kanały), 50 kHz (koincydencja)
• Rozdzielczość: 10-bitowy przetwornik ADC
• Częstotliwość próbkowania: 5kHz (8 kanałów)
• Napięcia: Arduino 5V, wzmacniacze operacyjne 9V, polaryzacja ~12V.

Ogólny układ i kolejność powyższych elementów przedstawiono na schemacie blokowym. Obliczenia wykonaliśmy z wartościami komponentów użytymi w fazie testowania (patrz trzeci obraz). (*: Niektóre wartości składników nie są takie same, jak pierwotnie planowano, ani takie same, jak te obecnie obowiązujące; niemniej jednak te obliczenia stanowią ramy wytycznych.)

Krok 4: Obwody

(Legendy do rysunków: (1) Ogólny schemat etapów 1-3 pojedynczego kanału, w tym podstawa diodowa i dzielniki napięcia, które zapewniają odniesienia do każdego etapu, podsekcje obwodu.)

Wyjaśnijmy teraz „przepływ” sygnału detekcyjnego jednego z czterech kanałów od jego powstania do akwizycji cyfrowej.

Scena 1

Jedyny interesujący sygnał pochodzi z fotodiod. Te czujniki są odwrócone. Zasilanie polaryzujące to stabilne napięcie 12 V, które jest przepuszczane przez filtr dolnoprzepustowy, aby wyeliminować wszelkie niepożądane szumy większe niż 1 Hz. Po jonizacji obszaru zubożonego na wyprowadzeniach diody powstaje impuls ładunku. Ten sygnał jest odbierany przez nasz pierwszy stopień wzmocnienia: wzmacniacz ładunku. Wzmacniacz ładunku może być wykonany z dowolnym wzmacniaczem operacyjnym, ale bardzo ważna jest specyfikacja niskiego poziomu szumów.

Etap 2

Celem tego etapu jest przekształcenie impulsu ładunku wykrytego na wejściu odwracającym na napięcie stałe na wyjściu wzmacniacza operacyjnego. Wejście nieodwracające jest filtrowane i ustawiane na dzielnik napięcia na znanym i wybranym poziomie. Ten pierwszy stopień jest trudny do dostrojenia, ale po wielu testach zdecydowaliśmy się na kondensator sprzężenia zwrotnego 2[pF] i rezystor sprzężenia zwrotnego 44[MOhm], co daje impuls 2[pF] × 44[MOhm]. = 88[μs]. Wzmacniacz z aktywnym filtrem pasmowoprzepustowym odwracającym, który działa jak dyferencjator, podąża za wzmacniaczem ładunku. Ten stopień filtruje i przekształca konwertowany poziom DC, emanujący z poprzedniego stopnia, na impuls o wzmocnieniu 100. Na wyjściu tego stopnia jest sondowany surowy sygnał detektora.

Etap 3

Następne w kolejności są kanały sygnałowe i szumowe. Te dwa wyjścia trafiają bezpośrednio do DAQ, a także do drugiej płytki analogowej. Oba działają jako komparatory wzmacniaczy operacyjnych. Jedyną różnicą między nimi jest to, że kanał szumów ma niższe napięcie na swoim wejściu nieodwracającym niż kanał sygnałowy, a kanał sygnałowy jest również filtrowany w celu usunięcia częstotliwości powyżej oczekiwanego impulsu wyjściowego z drugiego stopnia wzmacniającego. Wzmacniacz operacyjny LM741 działa jako komparator ze zmiennym progiem w celu rozróżnienia kanału sygnału, umożliwiając wykrywaczowi wysyłanie tylko wybranych zdarzeń do ADC/MCU. Rezystor zmienny na wejściu nieodwracającym ustawia poziom wyzwalania. Na tym etapie (licznik koincydencji) sygnały z każdego kanału podawane są do wzmacniacza operacyjnego pełniącego funkcję obwodu sumującego. Ustalony jest stały próg zbiegający się z dwoma aktywnymi kanałami. Wyjście wzmacniacza operacyjnego jest wysokie, jeśli dwie lub więcej fotodiod zarejestruje uderzenie jednocześnie.

Uwaga: Popełniliśmy kluczowy błąd, umieszczając konwerter podwyższający napięcie DC/DC mocy polaryzującej w pobliżu wrażliwych na ładowanie wzmacniaczy operacyjnych na płytce wzmacniającej. Być może naprawimy to w późniejszej wersji.

Krok 5: Zgromadzenie

Lutowanie, dużo lutowania… Ponieważ czujnik wybrany do końcowego detektora istnieje tylko jako komponent SMT, musieliśmy zaprojektować PCB (2 warstwy). Dlatego wszystkie powiązane obwody zostały również przeniesione na płytki PCB, a nie na płytkę stykową. Wszystkie komponenty analogowe zostały umieszczone na dwóch osobnych płytkach drukowanych, a komponenty cyfrowe na drugiej, aby uniknąć zakłóceń. Były to pierwsze płytki, jakie kiedykolwiek zrobiliśmy, więc musieliśmy uzyskać pomoc przy rozmieszczeniu w Eagle. Najważniejszą płytką drukowaną są czujniki i wzmocnienie. Dzięki oscyloskopowi monitorującemu wyjścia w punktach testowych, detektor może działać tylko z tą płytką (bypass DAQ). znalazłem i naprawiłem swoje błędy; obejmowały one niewłaściwe ślady komponentów, co spowodowało, że nasze niskoszumowe wzmacniacze operacyjne zostały podłączone do przewodów, a komponenty wycofane z eksploatacji zostały zastąpione alternatywami. Dodatkowo do projektu dodano dwa filtry, które tłumią oscylacje dzwonienia.

Krok 6: Obudowa

Zadaniem drukowanej w 3D obudowy, blachy ołowianej i pianki jest: montaż, izolacja termiczna, zapewnienie ochrony przed hałasem i blokowanie światła otoczenia, a także ewidentnie ochrona elektroniki. Załączone są pliki STL do drukowania 3D.

Krok 7: Odczyt Arduino

Część odczytowa (ADC/DAQ) czujki składa się z Arduino Mini (kod w załączeniu). Ten mikrokontroler monitoruje wyjścia czterech detektorów i zasilanie do nich później (jakość zasilania ścieżki), a następnie wyprowadza wszystkie dane na wyjście szeregowe (USB) w celu dalszej analizy lub rejestracji.

Opracowano (dołączono) aplikację komputerową Przetwarzanie, która umożliwia wykreślanie wszystkich przychodzących danych.

Krok 8: Testowanie

(Legendy na rysunkach: (1) Wynikowy impuls źródła 60Co (t ~ 760ms) stosunek sygnału do szumu ~3:1., (2) Wtrysk równoważny ładunkowi zdeponowanemu przez źródło energii ~2 MeV., (3) Wtrysk równoważny wsadowi zdeponowanemu przez źródło 60Co (~1,2 MeV)).

Wstrzykiwanie ładunku zostało wykonane za pomocą generatora impulsów połączonego z kondensatorem (1pF) na podkładce czujnika i zakończonego uziemieniem przez rezystor 50Ohm. Procedury te pozwoliły mi przetestować moje obwody, dostroić wartości komponentów i symulować reakcje fotodiod na działanie aktywnego źródła. Ustawiliśmy zarówno źródło Americium-241 (60 KeV), jak i Iron-55 (5,9 KeV) przed dwoma aktywnymi fotodiodami i żaden z kanałów nie widział wyraźnego sygnału. Zweryfikowaliśmy za pomocą wstrzyknięć impulsowych i doszliśmy do wniosku, że impulsy z tych źródeł były poniżej obserwowalnego progu ze względu na poziom hałasu. Jednak nadal byliśmy w stanie zobaczyć trafienia ze źródła 60Co (1,33 MeV). Głównym czynnikiem ograniczającym podczas testów był znaczny hałas. Było wiele źródeł hałasu i mało wyjaśnień, co je generuje. Odkryliśmy, że jednym z najbardziej znaczących i szkodliwych źródeł była obecność szumu przed pierwszym etapem wzmocnienia. Dzięki ogromnemu wzmocnieniu szum ten został wzmocniony prawie stukrotnie! Być może przyczyniły się również niewłaściwe filtrowanie mocy i szum Johnsona ponownie wprowadzony do pętli sprzężenia zwrotnego stopni wzmacniacza (to wyjaśniałoby niski stosunek sygnału do szumu). Nie badaliśmy zależności szumu od stronniczości, ale być może przyjrzymy się temu dalej w przyszłości.

Krok 9: Większy obraz

Obejrzyj film z Veritasium o najbardziej radioaktywnych miejscach na ziemi!

Jeśli dotarłeś tak daleko i postępowałeś zgodnie z instrukcjami, to gratulacje! Zbudowałeś urządzenie do rzeczywistych zastosowań, takie jak LHC! Być może powinieneś rozważyć zmianę kariery i wejść w dziedzinę fizyki jądrowej:) Mówiąc bardziej technicznie, zbudowałeś detektor promieniowania w stanie stałym, składający się z matrycy fotodiod i powiązanych obwodów do lokalizowania i rozróżniania zdarzeń. Detektor składa się z wielu etapów wzmocnienia, które przekształcają małe impulsy ładunku w obserwowalne napięcia, a następnie je dyskryminują i porównują. Komparator między kanałami dostarcza również informacji o rozkładzie przestrzennym wykrytych zdarzeń. Włączyłeś również użycie mikrokontrolera Arduino i niezbędnego oprogramowania do zbierania i analizy danych.

Krok 10: Referencje

Oprócz wspaniałych załączonych plików PDF, oto kilka powiązanych zasobów informacyjnych:

- F. A. Smith, Primer in Applied Radiation Physics, World Scientific, River Edge, NJ, 2000.

- Pierwszy czujnik, karta danych PD PIN pierwszego czujnika Część Opis X100-7 SMD, Web. mouser.com/catalog/specsheets/x100-7-smd-501401-prelim.pdf

- Horowitz, Paul and Hill, Winfield, The Art of Electronics. Wydawnictwo Uniwersytetu Cambridge, 1989.

- C. Thiel, Wprowadzenie do detektorów promieniowania półprzewodnikowego, Web. fizyka.montana.edu/students/thiel/docs/detector.pdf

- Lyndon Evans, Wielki Zderzacz Hadronów: Cud Technologii, wyd. Prasa EPFL, 2009.